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MOS管做电子负载应在哪个区?

2021-04-23 11:03 公司动态 已读

  一、通道长度校正

  如果V_DS>V_GS-V_TH,则通道将具有夹断效果,并且通道长度将稍短。在许多情况下,可以忽略此长度变化,但是如果精度要求相对较高,则应考虑信道长度变化,公式如下:

  通道的有效长度L随着V_DS的增加而略有减少,因此I_D随着V_DS的增加而略有增加。I_D可以使用以下公式表示

  如果不考虑通道长度的变化,则V_A是无限的,而如果我们考虑通道长度的变化,则V_A是有限的值。随V_DS变化的I_D的伏安特性曲线如下。

MOS管做电子负载应在哪个区?

  二、MOSFET的结构和电学特性总结

  1、MOSFET具有由金属层、绝缘层和半导体基板组成的三层结构。当前,大多数金属层使用多晶硅代替金属作为栅极材料,但是原理是相同的,绝缘层通常是二氧化硅。

  2、MOSFET是对称的,只有在施加电压时才能确定栅极,确定源极,确定漏极。在NFS的情况下,它依靠电子来导电,并且电子的“源”定义为源能级。因此,低压侧是源极,高压侧是漏极。

  3、沟道中的电荷量分布不均匀,靠近源极的一端的电荷量高,而靠近漏极的一端的电荷量低。

  4、当栅极电压超过源极电压V_TH时,沟道中会积累足够的电荷。只要源极和漏极之间存在电压差,这些电荷就可以流动并在电压驱动下形成电流。

  5、伏安特性曲线表示:

  (1)当V_GS <= V_TH时,称为截止区域,源极和漏极不导电。

  (2)在V_GS> V_TH && V_DS <= V_GS-V_TH的情况下,源极和漏极之间存在导通,而I_D与V_GS和V_DS有关,称为第三区。 (数字电路通常在第三级区域工作,稍后我会慢慢讲。)

  (3)在V_GS> V_TH && V_DS> V_GS-V_TH的情况下,源极和漏极之间存在连续性,并且通道具有夹断效应,I_D仅与V_GS有关(不考虑通道长度的变化)。随着时间的流逝,MOSFET是一个受控电流源,这时它由V_GS控制,称为饱和区。

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